Описание
Описание продукта
ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 представляет собой критический оптический модуль, разработанный для корректировки и фокусировки лазерного луча в системах глубоковолновойmicromachines литографии (DUV, EUV) — процесса, который определяет качество и плотность схем на кремниевых пластинах. Модуль ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 включает в себя набор специализированных линз, диафрагм и сенсоров положения, которые работают в комплексе для компенсации мелких искажений луча (например, из-за температурных колебаний или деформаций корпуса литографического станка) с точностью до нанометра. Благодаря использованию материалов высокой чистоты (синтетический кварц, специальные антиотражающие покрытия) ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 обеспечивает минимальную потерю интенсивности лазера (≤0.5%) и стабильную передачу волн длиной 193 нм (DUV) или 13.5 нм (EUV) — критически важно для создания микроскопических структур на чипах. Также ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 поддерживает реальное время мониторинга через интегрированный оптический сенсор: он автоматически считывает параметры луча и передает данные в контроллер станка, который корректирует положение модуля для сохранения фокуса. Ключевой особенностью ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 является строгая адаптация к литографическим системам ASML (например, серии NXE, XT) — он не требует дополнительной калибровки при замене, что сокращает время простоя станка (до 2 часов вместо нескольких суток для сторонних компонентов). При правильном эксплуатации ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 также продлевает срок службы литографической станции, так как стабильная фокусировка уменьшает износ рабочих элементов (например, шаблонов для печати схем).
Параметры продукта
- Тип устройства: Оптический модуль для корректировки и фокусировки лазерного луча вmicromachines литографии
- Оптические характеристики:
- Поддерживаемые длины волн: 193 нм (DUV — глубоковолновое ультрафиолетовое излучение), 13.5 нм (EUV — экстремально коротковолновое ультрафиолетовое излучение)
- Точность фокусировки: ±0.5 нм (при работе с EUV-лучом)
- Потеря интенсивности лазера: ≤0.5% (при номинальной мощности)
- Диапазон регулировки фокуса: ±10 нм (для компенсации деформаций пластины)
- Конструктивные параметры:
- Материал линз: Синтетический кварц (для DUV), селенид галлия (GaSe) — для EUV
- Покрытие линз: Многослойное антиотражающее (MgF₂ + Al₂O₃)
- Размеры модуля: 150 × 80 × 50 мм (ширина × высота × глубина)
- Вес: 1.2 кг
- Условия эксплуатации:
- Температурный диапазон работы: 23 °C ± 0.1 °C (строгий контроль для стабильности оптики)
- Влажность: 45% ± 2% (без конденсации)
- Класс чистоты окружающей среды: ISO 1 (≤1 частица/м³ размером >0.1 мкм — чистая комната)
- Давление: 10⁻⁶ Па (вакуум — для предотвращения поглощения EUV-луча воздухом)
- Интерфейсы:
- Сигнальный интерфейс: RS485 (для передачи данных о фокусе в контроллер станка)
- Питание: 24 В постоянного тока (допуск ±0.5%, потребляемый ток ≤50 мА)
- Сертификация: Соответствует ISO 13485 (для медицинской электроники, применимый кmicromachines компонентам), CE, RoHS
Преимущества и особенности
- Экстремальная точность: ±0.5 нм по фокусу делает ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 уникальным для производства современных микрочипов (7 нм, 5 нм техпроцессы) — без такой точности невозможно создать плотные схемы на кремниевых пластинах.
- Совместимость с DUV/EUV: Поддержка обеих технологий позволяет использовать модуль в разных поколениях литографических станций ASML, что снижает затраты на модернизацию производства.
- Минимум простоя станки: Строгая адаптация к системам ASML и отсутствие необходимости дополнительной калибровки сокращает время замены модуля до 2 часов — критично для производств с круглосуточной работой.
- Устойчивость в вакууме: Конструкция модуля устойчива при работе в высоком вакууме (10⁻⁶ Па), что необходимо для EUV-технологий (EUV-луч сильно поглощается воздухом).
Примеры применения в отраслях
- Полупроводниковая промышленность: В заводах производства микрочипов (например, 台积电，Samsung) ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 используется в EUV-литографических станциях ASML NXE 5000 — он корректирует фокус EUV-луча при печати схем на кремниевых пластинах, обеспечивая создание транзисторов размером 5 нм.
- Микроэнергетика: В разработке микроаккумуляторов и микросенсоров модуль управляет DUV-лучом для созданияmicromachines каналов в кремнии — точность ±0.5 нм гарантирует равномерность размера каналов и высокую эффективность энергонакопления.
- Медицинская электроника: В производстве имплантируемых медицинских устройств (например, кардиостимуляторов) ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 используется дляmicromachines литографии на биосовместимых материалах (ти타ний) — это позволяет создать миниатюрные схемы, подходящие для имплантации в человеческое тело.
- Квантовая электроника: В производстве квантовых процессоров модуль фокусирует EUV-луч для формированияmicromachines сверхпроводящих структур (алюминий на кремнии) — стабильность фокуса ±0.5 нм критична для сохранения квантовых свойств материалов.
Сравнение с конкурентами
| Параметр | ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 | Конкурентный модуль (например, Canon FPA-1100 optical unit) |
|---|---|---|
| Точность фокусировки | ±0.5 нм (EUV) | ±2 нм (EUV) — ниже в 4 раза, не для 5 нм техпроцессов |
| Поддержка EUV/DUV | Да (обе технологии) | Только DUV (не поддерживает EUV — критический минус для современного производства) |
| Класс чистоты | Подходит для ISO 1 | Подходит для ISO 3 (больше пыли, риск загрязнения линз) |
| Время замены | 2 часа | 8 часов (требует калибровки) |
| Совместимость с ASML | Полная (стандартный компонент) | Ограниченная (требует адаптеров, снижает стабильность станки) |
Итог: ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 не имеет прямых конкурентов по точности и совместимости с современными EUV-литографическими системами. Он является уникальным компонентом для производства микрочипов последнего поколения, гдеmicromachines точность определяет коммерческую применимость продукта.
Советы по подбору и предостережения
Советы по подбору
- Определите тип литографической технологии: Для EUV-станций (ASML NXE) ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701 — единственный подходящий выбор (поддерживает 13.5 нм); для DUV-станций (ASML XT) он также гарантирует максимальную точность, хотя можно использовать и менее специализированные модели ASML.
- Проверьте условия эксплуатации: Убедитесь, что производственное помещение соответствует классу чистоты ISO 1 и строгим параметрам температуры/влажности — иначе модуль не обеспечит заявленную точность.
- Учтите совместимость с станкой: Для ASML NXE 3400/5000/7000 модуль подходит без адаптеров; для старых моделей станок проверяйте совместимость через официальный портал ASML.
Предостережения
- Монтаж только сертифицированным персоналом: Модуль относится кmicromachines оптике — неправильный монтаж (например, касание линз рукой) приведет к загрязнению и потере точности, невозможной восстановить без замены компонентов.
- Не нарушайте условия вакуума: При работе с EUV-лучом поддерживайте давление 10⁻⁶ Па — проникновение воздуха в вакуумную камеру приведет к поглощению луча и повреждению антиотражающего покрытия ASML 4022.471.7412 6001-0303-5701.
- Регулярная калибровка: Каждые 1000 часов работы выполняйте калибровку через ПО ASML Calibrate Pro — это исправляет дрейф параметров из-за износа покрытия и поддерживает точность фокуса.
6001-0303-5701
