TOSHIBA 2N3A3120-D Toshiba

Технические параметры TOSHIBA 2N3A3120-D

  • Тип модуля: Bipolar junction transistor (BJT), NPN-тип, в корпусе TO-220AB с металлическим heatsink.
  • Основные параметры:
    • Максимальное коллекторное напряжение (VCEO): 180 V DC
    • Максимальный коллекторный ток (IC): 15 A
    • Максимальная (PC): 115 W (при Tc = 25°C)
    •  (hFE): 20–70 (при IC = 7.5 A, VCE = 4 V)
  • Диапазон рабочих температур: От -55°C до +150°C (операционный), allowing operation в широком климатическом диапазоне.
  • Уровень защиты: Исключение от перегрузки gracias к встроенной термической защите (Thermal shutdown), Electric isolation между kontakтами.
  • Функции: Поддержка высоких частот (до 3 MHz), устойчивость к обратной_polarity, встроенная base-emitter защита от перегрузки.
Категория: Бренд:

Описание

Описание продукта TOSHIBA 2N3A3120-D

TOSHIBA 2N3A3120-D — это специализированный транзисторный модуль для систем автоматизации, разработанный компанией TOSHIBA, лиaderом в области электронных компонентов и промышленной электроники. Этот модуль TOSHIBA 2N3A3120-D предназначен для и управления электрическими сигналами в системах PLC, электроприводах и промышленных_control системах, обеспечивая высокую надежность и эффективность в различных industriальных процессах. Whether youre amplifying sensor signals in a manufacturing line or controlling motor drives in a robotic system, TOSHIBA 2N3A3120-D предоставляет стабильную и точную Работу в сложных промышленных условиях. Конструкторский дизайн модуля оптимизирован для устойчивости к высокой температуре, вибрации и электромагнитным помехам. Подробнее о модели можно узнать по ссылке: TOSHIBA 2N3A3120-D.

Технические параметры TOSHIBA 2N3A3120-D

  • Тип модуля: Bipolar junction transistor (BJT), NPN-тип, в корпусе TO-220AB с металлическим heatsink.
  • Основные параметры:
    • Максимальное коллекторное напряжение (VCEO): 180 V DC
    • Максимальный коллекторный ток (IC): 15 A
    • Максимальная (PC): 115 W (при Tc = 25°C)
    •  (hFE): 20–70 (при IC = 7.5 A, VCE = 4 V)
  • Диапазон рабочих температур: От -55°C до +150°C (операционный), allowing operation в широком климатическом диапазоне.
  • Уровень защиты: Исключение от перегрузки gracias к встроенной термической защите (Thermal shutdown), Electric isolation между kontakтами.
  • Функции: Поддержка высоких частот (до 3 MHz), устойчивость к обратной_polarity, встроенная base-emitter защита от перегрузки.

Преимущества и особенности TOSHIBA 2N3A3120-D

TOSHIBA 2N3A3120-D выделяется рядом ключевых преимуществ, делающих его предпочтительным решением для industrial transistor applications. Прежде всего, высокие значения рабочего напряжения (180 V) и тока (15 A) делают его пригодным для управления мощными электроприводами, реле имплусными устройствами. Secondly, встроенная термическая защита автоматически отключает модуль при перегреве, предотвращая повреждение и увеличивая время безотказной работы. Кроме того, широкий диапазон рабочих температур (-55°C до +150°C) making it suitable for use in extreme environments, such as automotive engines or industrial furnaces. Наконец, высокая.current и устойчивость к электромагнитным помехам обеспечивают стабильность работы даже в условиях сильных помех от промышленного оборудования.

Применение TOSHIBA 2N3A3120-D в отраслях

TOSHIBA 2N3A3120-D успешно используется в следующих промышленных отраслях:

 

  • Автомобилестроение: Управление электродвигателями в системе,дверных блоков и_climate control, а такжесигналов от датчиков скорости и давления.
  • Электромеханика: Контроль малых электродвигателей в конвейерных системах, диммеры для промышленных осветительных систем и_relay interface для PLC.
  • Энергетика: Модулидля датчиков напряжения и тока в электростанциях, а также управление солнечными инвертерами и_Battery charging системами.
  • Промышленное оборудование: Регулировка яркости ламп в промышленных установках, controloverloads в электроприводах и_interface между микроконтроллерами и мощными устройствами.

Сравнение с конкурентами

По сравнению с конкурирующими транзисторными модулями, TOSHIBA 2N3A3120-D ofereчает более высокую устойчивость к перегрузке и широкий диапазон рабочих температур. Unlike competitors, у которых термическая защита часто является дополнительной функцией, TOSHIBA 2N3A3120-D включает ее в базовую конфигурацию, снижая риск повреждения оборудования. Благодаря высокому напряжению и току, модуль имеет вышестоящую надежность в сложных условиях, в то время как многие аналогичные модели могут_show reduced performance при. Кроме того, его компактный дизайн (TO-220AB) экономит пространство в щитах по сравнению с bulkier competitors, что особенно важно для узких industrial settings.

Советы по выбору и предостережения

При выборе транзисторного модуля обратите внимание на требуемое напряжение, ток и dissipated 功率. TOSHIBA 2N3A3120-D идеально подходит для проектов, требующих надежного управления мощными устройствами в Industrie. Для achieving optimal performance рекомендуется:

 

  1. Использовать дополнительный heatsink при работе с током выше 5 A или температурах окружающей среды выше +40°C, чтобы обеспечить эффективное охлаждение.
  2. Установить диод обратной_polarity protection (например, 1N4007) параллельно с нагрузкой, чтобы предотвратить разрушение транзистора от обратных импульсов от электродвигателей или_relay.
  3. При управлении переменным током использовать RC-фильтр на входе модуля, чтобы снизить электромагнитные помехи идребезги.
  4. Убедиться, что ток и напряжение в системе не превышают номинальных значений модуля (15 A/180 V), оставляя запас на 20–30% для предотвращения перегрузки.

 

Установите модуль с использованием теплоотводного пасты между heatsink и корпусом для улучшения теплопередачи. При работе в высокоэлектромагнитных условияхтажить экранированные кабели для входных и выходных сигналов. Регулярно проверять состояние модуля на наличие перегрева или электрических арcing, особенно принепрерывной работе. Убедитесь, что модуль правильно(grounded) с использованием тщательно спроектированной schematics, чтобы избежать-potential differences и электростатических выбросов.

TOSHIBA 2N3A3120-D