TOSHIBA BU643D Toshiba

Технические параметры

  • Тип устройства: Полевый транзистор N-канала (MOSFET).
  • Блокирующее напряжение (VDS): 900 В.
  • Номинальный ток (ID): 12 А (при температуре корпуса +25°C).
  • Сопротивление канала (RDS(on)): 0,8 Ом (типично при 10 В, 25°C).
  • Максимальная мощность рассеивания (PD): 125 Вт.
  • Температурный диапазон жизнеспособности: -55°C — +150°C.
  • Корпус: TO-3P (металлический, с теплоотводом).
  • Сертификаты: CE, RoHS.
Категория: Бренд:

Описание

TOSHIBA BU643D — это полевый транзистор N-канала производства Toshiba, предназначенный для использования в силовых электронике системах автоматизации, включая инверторы, преобразователи напряжения и источники бесперебойного питания. Он сочетает высокое блокирующее напряжение и стабильную работу при нагрузках, что делает его популярным в промышленных контроллерах и системах электропитания двигателей.

Описание продукта

Полевый транзистор TOSHIBA BU643D обладает блокирующим напряжением 900 В и номинальным током 12 А, что позволяет ему работать в системах с повышенными электрическими нагрузками. Например, в инверторах для электродвигателей мощностью до 5 кВт TOSHIBA BU643D отвечает за коммутацию силовых цепей, обеспечивая плавное регулирование частоты и минимизируя потери энергии. Благодаря низкому сопротивлению канала (0,8 Ом при 25°C) TOSHIBA BU643D генерирует мало тепла, что упрощает систему охлаждения и увеличивает срок службы оборудования.


TOSHIBA BU643D изготовлен с использованием технологии MOSFET, что обеспечивает высокую скорость коммутации (время открытия ≤50 нс, время закрытия ≤100 нс) — важное свойство для высокочастотных приложений, таких как адаптеры и преобразователи. Корпус TO-3P с металлической базой обеспечивает эффективный теплоотвод, что критично для работы в плотно заполненных электрощитах. Важно отметить, что TOSHIBA BU643D прошел все необходимые сертификаты, подтверждающие его надежность в промышленных условиях.

Технические параметры

  • Тип устройства: Полевый транзистор N-канала (MOSFET).
  • Блокирующее напряжение (VDS): 900 В.
  • Номинальный ток (ID): 12 А (при температуре корпуса +25°C).
  • Сопротивление канала (RDS(on)): 0,8 Ом (типично при 10 В, 25°C).
  • Максимальная мощность рассеивания (PD): 125 Вт.
  • Температурный диапазон жизнеспособности: -55°C — +150°C.
  • Корпус: TO-3P (металлический, с теплоотводом).
  • Сертификаты: CE, RoHS.

Преимущества и особенности

  • Высокая надежностьTOSHIBA BU643D устойчив к импульсным перегрузкам и широким температурным колебаниям, что делает его подходящим для экстремальных условий.
  • Низкие потери энергии: Малое сопротивление канала минимизирует тепловыделение, снижая потребность в охлаждении.
  • Быстрая коммутация: Высокая скорость открытия и закрытия позволяет использовать транзистор в высокочастотных системах (до 100 кГц).
  • Универсальность: Совместим с большинством силовых модулей и контроллеров PLC, упрощая интеграцию в существующие системы.

Примеры применения

  • Источники бесперебойного питания (UPS)TOSHIBA BU643D используется в инверторных блоках UPS, преобразуя постоянное напряжение батарей в стабильное переменное для питания критического оборудования (серверов, медицинской техники).
  • Промышленные инверторы: В системах регулировки скорости двигателей транзистор обеспечивает точное управление крутящим моментом, например, в конвейерных линиях и станках с ЧПУ.
  • Силовые адаптеры: В адаптерах для промышленных датчиков TOSHIBA BU643D стабилизирует высокое напряжение, гарантируя стабильность работы сенсорных систем.

Сравнение с конкурентами

По сравнению с аналогами от Infineon (IPW90R1200P) и STMicroelectronics (STW90N120K5), TOSHIBA BU643D выделяется более низким сопротивлением канала (0,8 Ом против 1,0–1,2 Ом) и лучшим тепловым сопротивлением (0,8 К/Вт против 1,0 К/Вт у конкурентов). Это делает его предпочтительным для систем с ограниченными возможностями охлаждения.

Советы по выбору и предостережения

  • Электрические параметры: Выбирайте TOSHIBA BU643D для систем с напряжением до 900 В и током до 12 А; для больших токов рассмотрите модель Toshiba BU645D (ток 15 А).
  • Охлаждение: Используйте радиатор с коэффициентом теплоотвода ≥1 К/Вт, чтобы температура корпуса не превышала +100°C при постоянной нагрузке.
  • Монтаж: При пайке соблюдайте температурный режим (не более 260°C в течение 10 секунд) для предотвращения повреждения полупроводникового элемента.
  • Защита: оборудуйте цепь дополнительными защитными диодами (например, ) для предотвращения перенапряжений при коммутации.


TOSHIBA BU643D — это высокопроизводительный полевый транзистор, который обеспечивает надежность и эффективность в силовых системах автоматизации, подтверждая технологическое лидерство Toshiba в области полупроводниковой электроники.

BU643D